삼성전자가 세계 최초로 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 제공하면서 차세대 AI 메모리 분야에서 기술적 우위를 공고히 했다.

이번에 공개된 HBM4E 12단 제품은 핀당 최대 16Gbps의 동작 속도를 지원하며, 단일 스택 기준으로 초당 3.6TB의 데이터 대역폭을 구현한다. 용량은 48GB로 기존 모델 대비 30% 이상 증가했다. 삼성전자는 앞으로 32GB(8단)와 64GB(16단) 등 다양한 용량 라인업을 확대할 예정이다.

삼성전자는 HBM4E에 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 파운드리 4나노 로직 다이를 적용해 공정 안정성과 양산 가능성을 확보했다고 밝혔다. 또한 저전력 설계와 패키징 구조 최적화를 통해 에너지 효율은 16%, 열 저항 특성은 14% 이상 향상시켰다. 이 기술 진보는 고부하 AI 연산 환경의 발열 문제를 해소하고 데이터센터 전력 소모 절감에 기여한다.

삼성전자는 이번 HBM4E 샘플 공급을 기점으로 고객 일정에 맞춰 양산 공급을 진행할 계획이다. 메모리, 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징 등 전 부문을 아우르는 원스톱 턴키 솔루션을 기반으로 공급 안정성을 확보한다는 방침이다.

지난 2월 삼성전자는 업계 최고 속도의 HBM4 양산 출하에 성공했다. HBM4는 지난해 12월 SiP(System in Package) 테스트에서 11.7Gbps 속도를 기록하며 최고 등급 평가를 받았으며, 현재 양산 공급이 확대되고 있다. 글로벌 고객사들은 삼성 HBM4의 속도와 전력 효율에 대해 긍정적으로 평가하고 있다. HBM4E 역시 1c D램과 4나노 베이스 다이 조합을 적용해 양산 전환 가능성이 높은 것으로 평가된다.

삼성전자 메모리사업부 개발담당 황상준 부사장은 HBM4 양산 성공과 HBM4E 샘플 공급을 계획대로 완료하며 기술 리더십을 확고히 했다며, "앞으로도 압도적인 기술 초격차와 선제적인 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 강력하게 주도할 것"이라고 밝혔다.