SK하이닉스가 용인 반도체 클러스터와 청주 생산기지에 각각 600조원과 100조원을 투입하는 대규모 투자 계획의 일환으로, 두 지역에서 신규 반도체 제조 공장 건설에 약 54조원을 집행한다. 이번 투자는 지난 6월 발표된 중장기 전략의 후속 조치로, 국내 반도체 산업의 경쟁력 강화와 지역 경제 활성화에 기여할 것으로 기대된다.

용인시 처인구 원삼면 일대에 조성되는 용인 반도체 클러스터는 총 4기의 팹이 순차적으로 들어설 예정이며, 이번에 착공하는 Y2는 두 번째 생산시설이다. Y2는 연면적 34만1000평 규모로 내년 7월 공사를 시작해 2029년 6월 첫 클린룸을 개방할 계획이다. 이곳에서는 고대역폭메모리(HBM) 등 차세대 D램이 생산된다. 현재 Y1 팹은 내년 2월 첫 클린룸 오픈을 목표로 공사가 진행 중이다. 회사는 당초 2045년으로 잡았던 클러스터 완공 시점을 2033년까지 12년 앞당겨 4기 팹 건설을 마무리할 방침이다. Y2의 투자금에는 생산시설 외에도 구성원 복지시설, 연구개발통합센터, 부대 인프라 구축 비용이 포함됐다. 1단계 전력·용수 인프라는 99%의 공정률로 마무리 단계에 있다.

청주에서는 기존 M11·M12·M15 팹과 연계해 새로운 낸드 생산시설인 M17이 건설된다. M17은 연면적 20만6000평 규모로, 내년 2월 착공해 2028년 12월 첫 클린룸을 열 예정이다. 투자 집행은 2031년 4월까지 단계적으로 이뤄지며, 부지·전력·용수 인프라가 이미 상당 부분 확보되어 신속한 건설이 가능하다. 청주가 신규 낸드 생산 거점으로 선정된 것은 기존 인프라와의 연계성, 빠른 구축 가능성 등이 반영된 결과다.

AI 서비스 확산에 따라 엔터프라이즈 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 중심의 낸드 수요가 빠르게 증가하고 있다. 여기에 AI 추론 과정에서 발생하는 KV 캐시 저장, 에이전틱·피지컬 AI 도입 등으로 낸드의 활용 범위가 확대되고 있다. 시장조사업체 옴디아는 2030년까지 글로벌 D램과 낸드 수요가 각각 연평균 19%씩 성장할 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 고객사와의 협의를 바탕으로 팹을 선제적으로 확보하되, 실제 생산능력 증가는 수요에 맞춰 단계적으로 조정할 계획이다.

SK하이닉스는 이번 투자가 미래 성장 기반을 확보함과 동시에 국내 반도체 생태계의 경쟁력 제고, 협력사와의 동반 성장, 고용 및 지역 상권 활성화 등 국가 경제의 지속 가능한 성장에 기여할 것으로 보고 있다. 회사 관계자는 시장 성장 속도에 발맞춘 이번 결정이 글로벌 AI 반도체 공급망 안정에 기여하는 핵심 파트너로 자리매김하는 계기가 될 것이라고 밝혔다.

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