SK하이닉스는 25일 이사회 결의를 통해 용인 반도체 클러스터 1기 팹과 클린룸 페이즈(Phase) 2∼6기 건설에 21조6천81억원을 투자하기로 했다고 공시했다. 투자 기간은 오는 3월 1일부터 2030년 12월 31일까지다.

앞서 SK하이닉스는 2024년 7월 1기 팹과 초기 운영 부대시설 건설에 9조4천억원을 투자하기로 한 바 있다. 이번 추가 투자로 1기 팹 관련 총 투자액은 약 31조원으로 늘었다.

용인 반도체 클러스터는 경기 용인시 처인구 원삼면 일대 416만㎡ 규모로 조성되며, 이 중 197만㎡ 부지에 최첨단 팹 4기가 들어설 예정이다. SK하이닉스는 국내외 소재·부품·장비 기업 50여곳과 협력 단지를 구축하고, 총 600조원 규모의 투자를 단계적으로 집행할 계획이다.

지난해 2월 착공한 1기 팹은 2027년 준공을 목표로 공사가 진행 중이다. 완공 시 2개 골조와 6개 클린룸으로 구성된다. 회사는 준공 시점을 앞당기기 위해 공정을 서두르고 있다.

이번 투자는 AI, 데이터센터, 고성능 컴퓨팅(HPC) 확산에 따른 고성능·고집적 반도체 수요 증가에 선제 대응하기 위한 조치다. 1기 팹에서는 고대역폭 메모리(HBM)를 비롯한 차세대 D램을 생산할 계획이며, 시장 수요에 따라 다른 제품 생산에도 활용할 수 있도록 준비한다.

공장 규모는 기존 계획보다 확대되고, 극자외선(EUV) 노광장비 등 첨단 장비도 도입된다. 국가첨단전략산업법에 따라 산업단지 용적률이 최대 1.4배까지 완화되면서 클린룸 면적도 늘었다.

클린룸 오픈 시점은 당초 2027년 5월에서 2027년 2월로 약 3개월 앞당겨질 전망이다. SK하이닉스는 이를 통해 글로벌 고객 수요에 신속히 대응하고 안정적인 공급 기반을 구축한다는 방침이다.

회사 측은 “AI 시대 개막과 함께 첨단 반도체 수요가 빠르게 확대되고 있다”며 “용인 반도체 클러스터를 대한민국 반도체 산업의 전략 거점으로 육성하겠다”고 밝혔다.

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▮ CBC뉴스ㅣCBCNEWS 하영수 기자