● 2026-06-02
삼성전자·SK하이닉스 등 HBM, 내년 계약가 급등 전망…AI 수요에 공급 부족

HBM(고대역폭 메모리) 공급업체들이 내년 가격 협상에서 유리한 위치를 점할 것으로 시장조사업체 트렌드포스가 분석했다.

트렌드포스는 HBM의 수익성이 범용 D램보다 낮아진 상황에서, 삼성전자와 SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 업체들이 생산량 조절을 통해 가격 인상 압력을 높일 수 있다고 밝혔다. HBM 가격이 충분히 오르지 않을 경우, 이들 업체는 수익성이 더 높은 범용 D램 생산 비중을 확대할 가능성도 있는 것으로 전해졌다. 이 경우 HBM 생산 증가 속도가 둔화되거나 공급 확대에 제약이 생길 수 있다.

AI 인프라 확장에 따라 HBM 수요는 계속 늘고 있다. 트렌드포스는 올해 AI 주문형반도체(ASIC) 성능이 고도화되면서 HBM 수요가 크게 증가할 것으로 내다봤다. AI 칩 한 개당 HBM 탑재 용량도 기존 96GB·192GB에서 216GB·288GB로 확대될 것으로 예상했다. 내년에는 엔비디아의 차세대 AI 플랫폼 '루빈 울트라'가 GPU당 HBM 용량을 384GB까지 늘릴 계획이며, 구글 TPU 등 AI ASIC 출하량 증가도 HBM 수요를 더욱 자극할 것으로 전망했다.

트렌드포스는 HBM 세대가 진화하면서 다이 크기가 커지고 수요가 동반 상승해 범용 D램 생산능력을 잠식하는 '크라우드 아웃' 효과가 심화될 것이라고 설명했다. 이에 따라 공급업체들이 HBM 가격 인상을 요구할 수 있는 근거가 강화돼 내년 HBM 가격 협상에서 협상력이 높아질 것으로 내다봤다. 또한 내년 HBM 계약가격이 올해보다 몇 배 수준으로 오를 가능성도 있다고 밝혔다.

트렌드포스는 "HBM에 대해 3대 공급업체(삼성·SK·마이크론)가 채택한 연간 가격결정 방식으로, 최근 시장 가격 상승분이 계약가격에 충분히 반영되지 못하고 있다"고 지적했다. 이어 "올해 2분기에 진입하면서 수요자와 공급자 간 협상은 2027년 공급 계약인 HBM4로 이동하고 있다"고 말했다.

 ● 2026-06-02
삼성전자, 8세대 HBM5 실물 최초 공개…AI 겨냥 HPB 신기술 도입

삼성전자가 대만 타이베이에서 열린 '컴퓨텍스 2026'에서 8세대 고대역폭메모리(HBM5) 실물 모형을 처음으로 선보이며 차세대 HBM 기술 개발에 대한 의지를 밝혔다.

이번 행사에서 삼성전자는 HBM5에 적용될 핵심 열관리 기술인 'HPB(Heat Path Block)' 구조를 소개했다. HPB는 다이와 다이 사이의 물리적 표면에서 발생하는 열을 효율적으로 분산하고 방출하는 방식으로 설계됐으며, AI 메모리 성능 향상 과정에서 발생할 수 있는 발열 문제를 해결하는 데 중점을 두고 있다. 삼성전자는 이미 HBM4E에서 HPB 기술의 구현과 검증을 마쳤으며, 앞으로 HBM5부터 본격적으로 적용해 성능과 안정성을 높일 계획이다.

HBM5에는 1c(10나노급 6세대) D램과 2나노 공정이 선제적으로 적용될 예정이다. 삼성전자는 또한 HBM4E의 웨이퍼와 칩셋을 이번 전시에서 공개했다. HBM4E는 1c D램 코어 다이와 자체 파운드리 4나노 공정 베이스 다이를 결합해 핀당 14Gbps로 동작하며, 최대 16Gbps(최대 4TB/s 대역폭)까지 구현에 성공했다.

차세대 패키징 기술인 '하이브리드 코퍼 본딩'도 세계 최초 적용을 준비 중이다. 이 기술은 HBM4E에 적용될 예정이며, 이미 여러 고객에게 샘플링이 진행됐다.

송재혁 삼성전자 CTO는 메모리, 파운드리, 로직, 패키징을 아우르는 토탈 솔루션 경쟁력의 중요성을 강조했다. 그는 AI 기술을 종합 반도체 회사로서 충분히 지원할 수 있다는 점을 이번 전시에서 부각했다고 밝혔다. 송 CTO는 "고객이 요구하는 메모리 대역폭을 높이는 과정에서 베이스 다이 특정 영역에 발열 문제가 발생할 수 있는데, 여기에 일종의 굴뚝 같은 구조를 추가해 열 저항을 낮추고 동작 안정성을 높였다"고 설명했다. 이어 "HBM5에 첫 적용을 계획하고 있지만 고객의 요구에 따라 적용 시점은 당길 수 있다"고 언급했다. 또한, HPB 기술의 차별점으로 삼성전자의 '원팀' 협력을 들며, "HPB 기술은 코어 다이 옆에 굴뚝 같은 구조를 추가하는 원리이기 때문에 베이스 다이 전체를 최적화해야 하며, 종합 반도체 회사인 삼성이 유리하다"고 말했다. 송 CTO는 하이브리드 코퍼 본딩 기술이 열 관리에 중요하며, 세계 최초를 목표로 준비하고 있다고 덧붙였다.

 ● 2026-05-29
삼성전자, HBM4E 샘플 출하…주가 6%↑ 시총 2000조 돌파

삼성전자가 29일 주가 급등과 함께 우선주를 포함한 시가총액이 2000조원을 돌파했다.

한국거래소 집계에 따르면 이날 오후 2시 53분 기준 삼성전자 주가는 전일 대비 6.01% 오른 31만7500원에 거래됐다. 이로 인해 삼성전자 시가총액은 1856조1935억원에 달했다. 우선주인 삼성전자우 역시 8.04% 상승해 20만6250원을 기록했으며, 시가총액은 165조4891억원으로 집계됐다. 두 종목을 합산한 시가총액은 2021조6826억원에 이르렀다.

삼성전자는 이날 인공지능(AI) 산업의 핵심 부품인 고대역폭 메모리(HBM) 7세대 제품인 HBM4E의 샘플을 세계 최초로 출하했다고 밝혔다. 삼성전자는 올해 2월 HBM4(6세대) 제품을 세계 최초로 양산 출하한 데 이어, 3개월 만에 차세대 제품 샘플을 선제적으로 공급하게 됐다. 이를 통해 차세대 AI 메모리 시장에서 주도권을 강화하는 움직임을 보이고 있다.

 ● 2026-05-26
SK하이닉스, HBM 발열잡는 'iHBM' 기술 공개…열저항 30%↓·AI 데이터센터 정조준

SK하이닉스가 26일 고대역폭 메모리(HBM) 패키지의 발열을 줄인 새로운 'iHBM' 기술을 선보였다.

iHBM은 HBM 패키지 내부에 ICE(일체형 냉각 요소)를 적용해 열 배출 경로를 추가로 확보한 것이 핵심이다. ICE는 전기가 통하지 않으면서도 열 전도가 뛰어난 실리콘 소재로 만들어졌으며, D2D PHY 구간의 발열 밀도를 효과적으로 제어할 수 있도록 설계됐다.

HBM은 적층 단수 확대와 고속화로 성능이 높아지는 동시에 발열 관리가 중요한 과제로 떠오르고 있다. 기존 HBM은 코어 다이를 거쳐 외부로 열을 내보내는 간접 방식이었다. 이에 비해 iHBM은 발열이 집중되는 D2D PHY 영역에 ICE를 삽입해 전용 열 배출 경로를 마련함으로써 구조적으로 문제를 해결했다.

SK하이닉스에 따르면, 이 방식은 기존 대비 열저항을 30% 이상 낮추고 고온·고부하 환경에서도 안정적인 동작을 가능하게 한다. 또한, 어드밴스드 MR-MUF 기반 웨이퍼 레벨 패키징(WLP) 공정을 적용해 대량 생산에 유리하며, 고객사의 기존 시스템 인 패키지(SiP) 환경과 설계 호환성도 높여 적용 부담을 줄였다.

이 회사는 iHBM 기술을 HBM5(8세대) 등 차세대 제품에 적용해 고성능 컴퓨팅(HPC)과 AI 데이터센터 등 초고집적·초고대역폭 환경에서 요구되는 열 관리 수준을 충족할 계획이다.

이강욱 SK하이닉스 부사장(PKG개발 담당)은 "iHBM은 메모리 설계 역량과 첨단 패키징 기술을 결합해 개발한 발열 최소화의 최적 설루션"이라며, "AI 환경에서 고객이 필요로 하는 가치를 선제적으로 제공하며 AI 메모리 리더십을 더욱 공고히 하겠다"고 말했다.

 ● 2026-04-23
SK하이닉스, TSMC 심포지엄서 HBM3E·HBM4 등 고대역폭 메모리 전시…TSMC와 기술 파트너십 부각

SK하이닉스는 미국 캘리포니아주 샌타클라라에서 열린 'TSMC 테크놀로지 심포지엄 2026'에 참여해 인공지능(AI) 메모리 분야에서의 리더십을 강조하고, TSMC와의 견고한 협력 관계를 재확인했다.

이번 심포지엄은 TSMC가 매년 전 세계 7개 주요 거점에서 개최하는 행사로, 반도체 설계 및 제조 파트너들이 최신 기술과 협력 성과를 공유하는 자리다. SK하이닉스는 행사에서 HBM3E(5세대), HBM4(6세대) 등 고대역폭 메모리(HBM)와 서버용 D램 제품 라인업을 선보였다. 특히 HBM4 전시 공간에는 'TSMC의 첨단 공정 기술이 적용된 베이스다이 채택'이라는 문구를 내걸어 양사 간 기술 협력의 중요성을 부각했다. HBM4에는 SK하이닉스의 5세대 10나노급 D램(1b) 공정과 TSMC의 12나노 베이스다이가 적용됐다.

이날 SK하이닉스 개발총괄 사장(CDO) 안현은 기조연설을 통해 차세대 AI 메모리의 발전 방향과 기술 혁신의 필요성을 강조했다. 그는 AI 기술 발전의 장애물인 '메모리 병목 현상'을 극복하기 위해서는 기존 구조의 개선을 넘어서는 새로운 접근이 필요하다고 언급했다. 또한 "메모리와 로직 기술의 통합이 AI 성능 극대화의 돌파구가 될 것"이라고 말했다. 이어 SK하이닉스가 단순한 공급자를 넘어 아키텍처 설계 단계부터 솔루션을 함께 고민하는 크리에이터로 진화하고 있다고 밝혔다. 그는 HBM4부터 베이스다이에 TSMC의 선단 로직 공정을 도입하는 등 전략적 협업을 강화할 계획임을 언급했다. 앞으로는 맞춤형 HBM을 넘어 HBF(고대역폭 낸드플래시), 3D 적층 D램 등 고객 워크로드에 최적화된 맞춤형 솔루션 제공 계획도 제시했다.

SK하이닉스는 이번 심포지엄을 통해 TSMC와의 파트너십을 재확인하고, 회사의 기술 진화 방향성을 널리 알릴 수 있었다고 밝혔다. 회사는 앞으로도 독보적인 기술 리더십을 바탕으로 AI 시대를 선도해 나가겠다고 했다.

 ● 2026-04-23
SK하이닉스, HBM4E 내년 양산…올 하반기 샘플 공급 예정

SK하이닉스가 7세대 고대역폭 메모리(HBM) 제품인 HBM4E를 내년에 양산할 계획이라고 23일 밝혔다.

이번 HBM4E는 기존 6세대 HBM4의 개선판으로, 올해 하반기에는 샘플 공급이 예정돼 있다. SK하이닉스는 HBM4E 개발이 순조롭게 진행되고 있으며, 출하 일정과 제품 사양에 대해 고객사와 긴밀히 협의하고 있다고 설명했다.

HBM4E에 적용될 베이스다이는 고객사가 요구하는 성능을 충족할 수 있도록 최적의 기술로 개발되고 있다. 코어다이 역시 고객사의 높아진 성능 요구에 대응해 1c(10나노급 6세대) 구조로 설계 중이다.

HBM은 코어다이와 베이스다이로 구성된다. 코어다이는 데이터를 저장하는 역할을 하며, 여러 개가 적층돼 있다. 베이스다이는 가장 아래에 위치해 컨트롤러 역할을 한다.

SK하이닉스는 HBM4E를 안정적인 성능과 충분한 물량으로 공급할 계획이라고 밝혔다. 또한 추가적인 기술 내재화와 고객 검증을 거쳐 HBM4E를 적기에 공급하고 시장 리더십을 이어가겠다는 방침이다.

 ● 2026-04-06
SK하이닉스, 2029년 HBM5 조기 출시…하이브리드 본딩 도입으로 빅테크 수요 선점

SK하이닉스가 하이브리드 본딩 기술을 빠르게 적용해 2029년 HBM5 출시를 준비하고 있다는 시장조사업체 카운터포인트 리서치의 분석이 나왔다.

카운터포인트 리서치는 6일 SK하이닉스가 어플라이드 머티리얼즈와 BE 세미컨덕터 인더스트리즈(BESI)의 통합 하이브리드 본딩 솔루션을 조기에 도입해 대역폭, 지연시간, 전력, 속도 등 다양한 성능 요구를 충족할 수 있는 전략적 우위를 확보하고 있다고 밝혔다. 이 업체는 HBM5가 하이브리드 본딩 기술 적용의 주요 전환점이 될 것으로 봤다.

현재 JEDEC의 기준 완화로 HBM 제품에 최대 16단까지 열압착 본딩(TCB) 방식이 적용 가능하지만, 엔비디아 등 주요 빅테크 기업들이 더 높은 대역폭과 효율성을 요구하고 있어 하이브리드 본딩 도입이 장기적으로 필요하다는 설명이다. 이에 따라 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 메모리 업체들은 차세대 AI 수요에 대응해 HBM4 이후부터 하이브리드 본딩 적용을 추진하고 있다.

하이브리드 본딩은 다이 간 간격과 적층 높이를 줄여 그래픽처리장치(GPU) 패키지의 물리적 높이와 집적 제약을 완화할 수 있는 기술로 평가된다.

카운터포인트 리서치는 SK하이닉스가 차세대 AI GPU 시장 흐름에 맞춰 2029년에서 2030년 사이 HBM5를 선보일 것으로 예상하며, 하이브리드 본딩 장비의 조기 도입이 HBM 시장에서의 리더십을 유지하는 중요한 전략적 우위가 될 것이라고 덧붙였다.

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