● 2026-06-30
포항공대, HBM보다 4배 밀도 초박형 반도체 쌓기 기술 개발

포항공대와 한국생산기술연구원 공동 연구팀이 기존 고대역폭메모리(HBM) 대비 약 4배 높은 집적 밀도를 가진 반도체 적층 기술을 개발했다.

포항공대 기계공학과 김석 교수와 김우현씨, 한국생산기술연구원 금호현 박사가 참여한 이 연구팀은 14㎛ 두께의 초박형 반도체 칩을 10층 이상 안정적으로 쌓을 수 있는 방법을 선보였다. 이 기술은 '전사 프린팅'으로 칩을 원하는 위치에 정확히 배치하고, 동시에 '실시간 본딩'을 통해 칩 이송과 금속 접합을 한 번에 진행하는 방식이다.

연구팀에 따르면, 이 기술은 저온·저압 환경에서 초박형 칩을 연속으로 적층해도 층간 정렬 오차가 작고, 칩의 휨 현상도 최소화됐다. 머리카락보다 얇은 두께의 칩이 기존에는 휘거나 깨지기 쉬워 적층에 어려움이 있었으나, 이번 개발로 안정적인 적층이 가능해졌다.

HBM은 인공지능(AI) 반도체의 성능을 결정하는 핵심 부품으로, 여러 개의 메모리 칩을 쌓는 구조다. 연구팀이 개발한 기술은 적층 수와 안정성을 크게 높여 차세대 반도체 및 메모리 시스템 개발에 기여할 것으로 보인다.

김석 교수는 "고성능 AI 반도체와 차세대 메모리 시스템 개발의 핵심 기반 기술로 활용될 것으로 기대한다"고 밝혔다.

 ● 2026-06-23
이재용 회장, 삼성전자 천안 HBM 생산 현장 점검…누적 매출 12억 달러 돌파

이재용 삼성전자 회장이 23일 충남 천안사업장의 HBM(고대역폭 메모리) 생산 현장을 방문해 인공지능(AI) 반도체 시장에서의 기술 경쟁력 강화에 나섰다.

이날 이재용 회장은 천안사업장 내 C1·C2 라인을 찾아 사업장 운영 현황, 생산 계획, 기술 개발 진행 상황 등에 대한 설명을 듣고, 방진복을 입은 채 HBM 패키지 생산 라인을 직접 점검했다. 삼성전자 천안사업장은 HBM 후공정과 첨단 패키징을 담당하는 핵심 생산 거점으로, AI 반도체 시장 확대에 대응하기 위한 HBM 생산 역량의 중심 역할을 하고 있다.

삼성전자는 HBM 시장에서의 기술 리더십 강화를 위해 최근 다양한 성과를 내고 있다. 지난 2월에는 세계 최초로 6세대 HBM4 양산 출하에 성공했으며, 이어 지난달에는 7세대 제품인 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다. HBM4 양산과 HBM4E 샘플 공급이 3개월 간격으로 이어지면서 삼성전자는 AI 메모리 시장에서 차세대 제품 개발과 공급 일정을 빠르게 추진하고 있다.

HBM4 제품은 사업 성과 면에서도 의미 있는 성장세를 기록 중이다. HBM4는 양산 출하 약 4개월 만에 누적 매출 10억 달러를 돌파했으며, 6월말 기준 누적 매출은 12억 달러를 넘어설 것으로 전망되고 있다.

업계에서는 이재용 회장의 이번 방문이 생산 경쟁력과 공급 대응 체계 점검, 그리고 향후 사업 확장 전략을 모색하는 차원에서 이뤄진 것으로 보고 있다. 업계 관계자는 "천안사업장은 최근 삼성전자 HBM 성장세를 뒷받침하는 핵심 생산 거점으로서 중요성이 더욱 커지고 있다"며 "이 회장이 이번 방문을 통해 현장 임직원들을 격려하는 동시에 기술 초격차에 대한 의지를 보여준 것"이라고 말했다.

 ● 2026-06-11
ETRI, 2,500PPI급 LEDOS 초고해상도 마이크로디스플레이·초정밀 레이저 접합 기술 개발

한국전자통신연구원(ETRI)이 인공지능(AI)과 확장현실(XR) 분야에서 핵심 부품으로 주목받는 초고해상도 'LEDOS' 디스플레이와 이를 구현하는 초정밀 레이저 접합 기술을 개발했다.

LEDOS는 실리콘 웨이퍼 위에 초소형 무기물 발광다이오드(LED)를 정밀하게 배열해 제작하는 차세대 마이크로 디스플레이 기술이다. 이 기술은 초고해상도, 초소형, 초고휘도가 요구되는 가상현실(VR)과 증강현실(AR) 기기에 주로 사용된다.

ETRI가 이번에 개발한 기술은 2500 PPI(화면 크기 대비 픽셀 밀도)급의 초고집적 마이크로 LED 디스플레이와 이를 실현할 수 있는 초정밀 레이저 접합 공정이다. 연구진은 10㎛(마이크로미터)급 피치 환경에서 약 92만개의 범프를 안정적으로 접합할 수 있는 초고밀도 접합 기술을 확보했다. 이는 현재 AI 반도체 분야에서 주목받는 HBM4(고대역폭메모리4)의 약 20㎛급 피치와 20만 개 내외 범프 수준보다 훨씬 높은 집적도를 요구하는 기술이다.

HBM은 AI 가속기와 고성능 그래픽처리장치(GPU) 등에 활용되는 첨단 반도체 패키징 기술로, 업계에서는 초미세 고집적 연결 기술의 대표적인 사례로 인식되고 있다. ETRI의 이번 기술은 HBM4보다 더 미세하고 복잡한 접합 조건을 상대적으로 경제적인 공정으로 구현했다는 점에서 의미가 있다고 연구진은 밝혔다.

주지호 저탄소집적기술창의연구실장은 "AI·XR 시대에는 초고해상도 디스플레이 자체뿐만 아니라 이를 실제로 제조할 수 있는 초정밀 접합 기술 확보가 매우 중요하다"며, ETRI가 개발한 LEDOS 기술이 XR 디바이스를 넘어 차세대 고밀도 이종 집적 플랫폼으로도 활용될 수 있을 것이라고 말했다.

 ● 2026-06-08
삼성전자, 엔비디아에 HBM4E·HBM5 공급 논의…전영현 부회장 "장기 협력 강조"

전영현 삼성전자 대표이사 겸 DS부문장(부회장)이 8일 젠슨 황 엔비디아 CEO와 만나 HBM4E와 HBM5 등 차세대 고대역폭메모리 공급과 협력 방안을 논의했다.

이날 회동은 서울 중구 신라호텔에서 진행됐으며, 전영현 부회장은 엔비디아와의 협력에 대해 "황 CEO와 오랫동안 같이 협력해왔는데 오늘 가장 좋은 얘기를 나눈 것 같다"고 밝혔다. 전 부회장은 내년부터 HBM4E, HBM5, 파운드리 비즈니스 등 장기 협력에 대한 논의와 함께, 올해부터는 HBM4와 SOCAMM(서버용 저전력 메모리 모듈) 공급을 충분히 하겠다고 설명했다.

파운드리 협력 확대에 관한 질문에는 "저희가 4나노와 8나노에서 필요한 자율주행 칩과 엔비디아의 액셀러레이터 칩인 그록 칩에서 협력하고 있고 그다음 세대의 협력도 같이 논의하고 있다"고 말했다. 이날 자리에는 황 CEO의 장녀 매디슨 황 엔비디아 수석이사와 제프 피셔 엔비디아 수석부사장, 삼성전자 김재준 메모리사업부 부사장 등이 함께했다.

삼성전자는 엔비디아의 차세대 인공지능(AI) 가속기 '베라 루빈'에 11.7Gbps 이상의 성능을 구현한 HBM4(6세대) 공급을 시작했다. 베라 CPU에는 LPDDR5X 기반 SOCAMM2, 스토리지 영역에는 PCIe Gen6 기반 PM1763 등도 공급 중이다. 최근 삼성전자는 세계 최초로 7세대 제품인 HBM4E 샘플을 엔비디아에 출하했다. 이 HBM4E는 1c D램 코어 다이와 자체 파운드리 4나노 공정 베이스 다이를 결합해 핀당 14Gbps, 최대 16Gbps(최대 4TB/s 대역폭)까지 구현했다.

전 부회장은 황 CEO가 SK하이닉스를 "엔비디아의 가장 큰 메모리 파트너"라고 언급한 데 대해 "저희는 저희 일을 열심히 할 것"이라며 "나중에 결과로써 보여드리겠다"고 말했다. 삼성전자가 엔비디아와 장기 메모리 공급 계약을 맺을 예정인지에 대해서는 "최고의 파트너로서 엔비디아가 성공할 수 있도록 최대한 도와드리겠다"고 답했다.

전 부회장은 이어 열린 엔비디아의 '코리아 AI 에코시스템' 간담회에도 참석했다. 이 행사에는 삼성전자 한진만 파운드리사업부장 사장, 김용관 DS부문 경영전략총괄 사장, 송용호 DS부문 AI센터장도 함께했다. 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장, 류재철 LG전자 대표이사 사장, 문혁수 LG이노텍 대표이사 사장 등도 참석했다.

 ● 2026-06-08
SK하이닉스, 한미반도체에 HBM4 TC 본더 442억원 발주…M15X 투자 가속

SK하이닉스가 한미반도체에 442억원 규모의 HBM4(6세대)용 TC 본더 장비를 발주했다.

한미반도체는 8일 공시를 통해 SK하이닉스로부터 HBM4 제조용 'TC 본더 4.5 그리핀' 장비를 수주했다고 밝혔다. 계약 기간은 이날부터 9월 2일까지로, 장비 한 대당 30억원 수준을 고려하면 SK하이닉스가 도입하는 장비는 약 15대에 달할 것으로 보인다. TC 본더 4.5 그리핀은 지난해 5월 발표된 'TC 본더 4'보다 업그레이드된 장비로, SK하이닉스에 맞춰 최적화된 것으로 알려졌다.

이번 장비는 SK하이닉스 청주 M15X에 도입될 예정이다. SK하이닉스는 HBM 등 차세대 D램 생산능력 확보를 위해 총 20조원을 투자해 M15X를 건설 중이며, 지난해 10월 첫 번째 클린룸을 조기 오픈한 데 이어 올해 2월에는 웨이퍼 투입과 두 번째 클린룸 개방, 장비 반입을 순차적으로 진행하며 양산 체제 구축에 박차를 가하고 있다.

SK하이닉스는 지난해 9월부터 HBM4 양산 체제에 돌입했으며, HBM4는 엔비디아의 차세대 AI 가속기 '베라 루빈'에 탑재된다. 엔비디아는 SK하이닉스의 HBM 생산 확대를 요청하고 있는 것으로 전해졌다.

젠슨 황 엔비디아 CEO는 지난 5일 김포공항에서 삼성전자, SK하이닉스, 미국 마이크론 등 3사가 HBM4 공급사 품질 테스트 인증을 모두 완료했으며 현재 양산 중이라고 언급했다.

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