[CBC뉴스] ASML과 TSMC가 차세대 반도체 미세공정의 생산성을 끌어올리기 위해 High NA EUV용 포토마스크 규격을 현재 6인치에서 12인치로 확대하는 산업 전환에 나선다. 인공지능(AI)용 첨단 반도체의 구조가 복잡해지면서 High NA EUV 적용 공정이 늘어날 것으로 예상되는 가운데, 양사는 2031년 12인치 마스크 파일럿 라인을 구축하고 2033년 첨단 노드 생산에 관련 노광 시스템을 투입한다는 목표를 제시했다.

ASML과 TSMC는 8일 High NA EUV 리소그래피의 활용 가치를 높이기 위한 대형 포토마스크 전환 공동 이니셔티브를 발표했다.

이번 협력의 핵심은 반도체 제조에 사용되는 포토마스크 크기를 12인치로 확대하는 것이다. High NA EUV는 우선 기존 6인치 마스크를 이용해 양산에 적용되지만, 향후 12인치 규격으로 전환하면 반도체 팹의 생산성을 높이고 칩 제조 비용을 낮추는 데 도움이 될 것으로 양사는 보고 있다.

특히 대형 포토마스크 도입은 스티칭 제약을 해소하는 데도 의미가 있다. 첨단 반도체 제조사가 High NA EUV의 성능을 보다 폭넓게 활용할 수 있게 되면서 향후 최첨단 칩 생산의 경제성을 높이는 기반이 될 수 있다는 설명이다.

양사는 지난 7일 미국 캘리포니아 몬터레이에서 열리는 연례 SPIE BACUS 콘퍼런스를 앞두고 12인치 포토마스크 전환을 추진하는 업계 공동 이니셔티브를 구성했다.

구체적인 일정도 제시됐다. 2031년까지 12인치 마스크 파일럿 라인을 구축한 뒤 이를 기반으로 2033년에는 12인치 High NA 리소그래피 시스템이 첨단 노드 생산에 들어갈 수 있도록 준비한다는 계획이다.

TSMC의 High NA EUV 도입 일정도 공개됐다. TSMC는 오는 2030년부터 첨단 노드의 대량생산에 ASML의 High NA 기술을 사용할 계획이다.

향후 공정 미세화가 계속될수록 High NA EUV가 필요한 레이어 수도 증가할 것으로 TSMC는 예상했다. 특히 AI용 반도체에 요구되는 트랜지스터 구조가 갈수록 복잡해지는 점이 High NA EUV 적용 확대를 이끄는 주요 요인으로 제시됐다.

크리스토프 푸케 ASML 최고경영자(CEO)는 반도체 미세화 로드맵에 따라 High NA EUV 채택이 점진적으로 늘어날 것으로 내다봤다. 초기에는 기존 6인치 마스크를 활용하고 이후 12인치 마스크가 이를 뒷받침하면서 스캐너 생산성을 높일 수 있다는 설명이다. 이를 통해 더 작고 빠르면서 에너지 효율이 높은 반도체에 대한 산업 수요에 대응할 수 있을 것으로 전망했다.

웨이저자 TSMC 회장 겸 CEO는 반도체 산업의 복잡한 문제를 해결하기 위해서는 산업 전체의 협력이 중요하다고 강조했다. 밸류체인 전반의 기술과 전문성을 결합해 첨단 기술의 비용 장벽을 낮추고 대규모 생산에 적용할 수 있도록 하겠다는 구상이다.

이번 움직임은 ASML과 TSMC 두 회사만의 기술 협력에 그치지 않고 반도체 생태계 전반으로 확대될 가능성도 있다. 양사에 따르면 High NA EUV 도입 기업을 비롯해 주요 반도체 생태계 파트너와 공급업체들이 이니셔티브 참여에 관심을 나타냈다.

이에 따라 12인치 포토마스크 전환은 향후 High NA EUV 장비뿐 아니라 마스크 제조와 소재, 검사·계측 등 관련 공급망 전반에 걸쳐 새로운 기술 전환을 요구할 가능성이 있다. 2030년 TSMC의 High NA EUV 양산 적용과 2031년 12인치 마스크 파일럿 라인 구축, 2033년 첨단공정 투입이라는 일정이 현실화되는지가 향후 반도체 미세공정 경쟁에서 주요 변수가 될 전망이다.

[이 기사는 ASML과 TSMC가 2026년 9월 8일 발표한 공식 자료를 바탕으로 AI의 조력을 받아 작성됐습니다. 향후 기술 개발 일정과 양산 적용 시점, 참여 기업 범위 등은 연구개발 및 산업 환경에 따라 변경될 수 있으며, 특정 기업의 주가 전망이나 투자 판단을 목적으로 작성된 내용이 아닙니다. 투자에 대한 최종 판단과 책임은 투자자 본인에게 있습니다.]

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▮ CBC뉴스ㅣCBCNEWS 심우일 기자